人工晶体学报

作者：李信儒, 侯童, 马旭, 王佩, 李阳, 穆文祥, 贾志泰, 陶绪堂

单位：1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南 250100; ；2.山东工业技术研究院,济南 250100

关键词：β-Ga2O3,解理,斜切角,抛光,表面粗糙度,

基金：国家自然科学基金(52002219,51932004,61975098);广东省重点领域研发计划(2020B010174002);深圳市基础研究计划(JCYJ20210324132014038);111工程2.0(BP2018013)

本文研究了斜切角的引入对β-Ga2O3(100)面衬底加工的影响,分析了斜切角分别为0°、1°、6°时,(100)面衬底在加工过程中的形貌变化及不同抛光参数对衬底抛光的影响。实验结果表明,随着斜切角的增大,(100)面衬底在加工过程中的解理损伤问题得以改善,加工后表面粗糙度降低,材料去除方式出现了脆性去除-脆塑性混合去除-塑性去除的转变。较小的抛光压力可以有效减少解理损伤,改善表面质量。斜切角为6°时的(100)面衬底抛光效率高,抛光后表面粗糙度可达到Ra≤0.2 nm。

来源：2023年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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