人工晶体学报

作者：陈绍华, 穆文祥, 张晋, 董旭阳, 李阳, 贾志泰, 陶绪堂

单位：1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南 250100; ；2.山东工业技术研究院,济南 250100

关键词：氧化镓,宽禁带半导体,光电性能,宽带近红外发光,导模法,Ni掺杂,

基金：国家自然科学基金(52002219,51932004,61975098);广东省重点领域研发计划(2020B010174002);深圳市基础研究计划(JCYJ20210324132014038);111工程2.0(BP2018013)

本文使用导模(EFG)法生长了Ni掺杂β-Ga2O3单晶,并通过粉末X射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量。进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni2+掺杂对β-Ga2O3光学特性的影响,发现其(100)面的紫外截止边为252.9 nm,对应的光学带隙为4.74 eV。此外,阴极荧光(CL)光谱测试结果显示,Ni2+掺杂β-Ga2O3单晶在600~800 nm具有宽带近红外发光特性,有望拓宽β-Ga2O3单晶材料在宽带近红外方面的应用。

来源：2023年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2023年第8期