人工晶体学报

作者：王迪, 汤港, 张博, 王墉哲, 张中晗, 姜大朋, 寇华敏, 苏良碧

单位：1.中国科学技术大学稀土学院,合肥 230026;；2.中国科学院赣江创新研究院,赣州 341119;；3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201899;；4.南昌大学物理与材料学院,南昌 330031

关键词：Nd,Y∶SrF2,激光晶体,氟化物晶体,坩埚下降法,位错,位错蚀坑形貌,晶体缺陷,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3605701);国家自然科学基金(61925508,U2230103);中科院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-024);上海市科学技术委员会项目(20520750200);中国科学院“一带一路”国际合作项目(121631KYSB20200039)

氟化物激光晶体Nd,Y∶SrF2(NYSF)具有热导率高、发射光谱宽、发射截面适中等特点,在高功率激光技术领域具有重要应用。激光晶体中的位错是反映其晶格完整性的一类重要的微观晶体缺陷,对晶体材料的力学、光学性能具有重要影响。本文采用坩埚下降法制备了NYSF激光晶体,分析了腐蚀实验条件对位错蚀坑形貌的影响,获得了化学腐蚀法研究NYSF晶体位错缺陷的最佳腐蚀工艺,即浓度为4 mol/L的盐酸溶液作为腐蚀液,腐蚀温度为60 ℃、腐蚀时间为9~12 min;表征了位错腐蚀坑形态的演变过程,探讨了晶格原子排列对位错蚀坑形态的影响;利用化学腐蚀方法表征了位错缺陷在晶体中的分布规律,即轴向分布为从放肩到尾部先减少后增加,径向分布为从中心到边缘逐步增加;分析了晶体生长条件对位错缺陷形成的影响,提出了位错密度随坩埚下降速率的提高而升高的可能原因。

来源：2023年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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