人工晶体学报

作者：汪正鹏, 张崇德, 孙新雨, 胡天澄, 崔梅, 张贻俊, 巩贺贺, 任芳芳, 顾书林, 张荣, 叶建东

单位：南京大学电子科学与工程学院,南京 210023

关键词：超宽禁带半导体,氧化镓薄膜,金属有机物化学气相沉积,日盲紫外光电探测器,切割角,外延,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3605403);国家自然科学基金(62234007,62293521,U21A20503,U21A2071);广东省重点研发计划(2020B010174002)

本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga2O3)单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga2O3外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×106,248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×1015 Jones,带外抑制比为2.36×104,响应时间为226.2 μs。

来源：2023年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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