国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:段超, 李坤, 高岗, 杨磊, 徐梁格, 浩钢, 朱嘉琦
单位:1.哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国家级重点实验室,哈尔滨 150001; ;2.哈尔滨工业大学分析与测试中心,哈尔滨 150001; ;3.哈尔滨工业大学郑州研究院,郑州 450000; ;4.哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室,哈尔滨 150001
关键词:原子层沉积,透明导电薄膜,镀膜方式,形貌,成分,光电性能,
基金:国家自然科学基金重点项目(52032004)
集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧化铟为代表,通过对比分析说明原子层沉积制备薄膜在形貌、成分等方面的优越性,对不同方式制备的常见透明导电薄膜的光电性能进行了总结。详细讨论了原子层沉积的应用范围,包括在大尺寸基底,如大平面和大曲率基底上可以制备高质量薄膜,在小尺寸基底,如粉体、沟槽、微纳结构上仍然有着超高的保形性。最后对原子层沉积制备薄膜的优势进行了总结,对其独特的发展潜力进行了展望。
来源:2023年第6期
《人工晶体学报》期刊编辑部