人工晶体学报

作者：彭大青, 李忠辉, 蔡利康, 李传皓, 杨乾坤, 张东国, 罗伟科

单位：1.南京电子器件研究所,南京 210016; ；2.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京 210016; ；3.中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室,南京 210016

关键词：AlGaN/GaN异质结,复合势垒,金属有机物气相沉积,高线性,跨导,二维电子气,

基金：江苏省重点研发计划(SBE2020020137)

针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al0.26Ga0.74N/GaN/Al0.20Ga0.80N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1 510 cm2·V-1·s-1,面密度达到9.7×1012 cm-2。得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到3.0 V,是常规材料的1.5倍。复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒AlGaN/GaN异质结构在高线性应用上的优势。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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