人工晶体学报

作者：孙帅, 宋华平, 杨军伟, 王文军, 屈红霞, 简基康

单位：1.广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006; ；2.松山湖材料实验室,东莞 523808; ；3.中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京 100190

关键词：碳化硅,腐蚀,位错,缺陷表征,鼓泡器,腐蚀速率,

基金：广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628)

本文提出了一种改进的氢氧化钾(KOH)腐蚀方法,该方法利用鼓泡器将干燥空气直接通入熔融KOH中,以达到快速排出熔融KOH中水分和增强溶解氧的目的。本研究通过提升部分潮解的KOH对低掺杂n型外延片的腐蚀效果和纯KOH对高掺杂n型衬底的腐蚀效果,验证了该方法的有效性。实验结果表明:在腐蚀前的恒温时间段内,向腐蚀剂通入干燥空气,可加快腐蚀剂中水分的蒸发速度,减轻水分对腐蚀反应的抑制作用,使得部分潮解的KOH用于腐蚀外延片的效果优于未潮解的新鲜KOH;在腐蚀时向腐蚀剂通入干燥空气,可增加腐蚀剂中的溶解氧,促进腐蚀时发生的氧化还原反应,使得KOH腐蚀SiC衬底的效果近似于用KOH+Na2O2共熔体腐蚀得到的效果。本研究有效改良了传统KOH腐蚀方法,对于稳定KOH腐蚀条件,提高SiC位错腐蚀效果具有很好的实际应用价值。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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