人工晶体学报

作者：王俊, 葛庆, 刘帅呈, 马博杰, 刘倬良, 翟浩, 林枫, 江晨, 刘昊, 刘凯, 杨一粟, 王琦, 黄永清, 任晓敏

单位：北京邮电大学信息光子学与光通信全国重点实验室,北京 100876

关键词：硅基光电子,硅基外延激光器,无偏角Si (001)衬底,量子阱激光器,量子点激光器,对称负极芯片结构,

基金：国家重点研发计划重点专项课题(2018YFB2200104);北京市自然科学基金(4232072);北京市科技计划课题(Z191100004819012);国家创新研究群体科学基金(62021005);信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)基金(IPOC2022ZZ01);高校学科创新引智计划(BP0719012,111基地);北京邮电大学研究生创新创业项目(2023-YC-A041,2023-YC-A046)

硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外,硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟,但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。在此背景下,本文从直接外延无偏角III-V/Si(001)衬底、无偏角硅基激光器材料、外延技术,以及单片集成等方面探讨了近些年国内外硅基光源的研究进展,重点介绍了本研究组在硅基外延III-V族量子阱和量子点激光器方面的研究进展,包括无反相畴GaAs/Si(001)衬底的制备、硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料外延、硅基InAs/GaAs量子点激光器材料外延和新型并联方式共面电极硅基激光器芯片制作等。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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