人工晶体学报

作者：岳龙, 徐俞, 王建峰, 徐科

单位：1.中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州 215123; ；2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123; ；3.苏州纳维科技有限公司,苏州 215000; ；4.沈阳材料科学国家研究中心, 沈阳 110010

关键词：GaN,微型发光二极管,激光剥离,准分子激光器,成品率,平整度,

基金：国家自然科学基金面上项目(62174173)

使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm-2,分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.071 4 GPa,均方根粗糙度仅为0.597 nm,远低于目前报道的LLO方法分离表面。该研究为实现高质量、高效率的GaN基Micro LED芯片的制备提供了一种有前景的思路,对柔性GaN基器件的制备具有一定意义。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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