人工晶体学报

作者：蔡鑫, 徐俞, 曹冰, 徐科

单位：1.苏州大学光电科学与工程学院&苏州纳米科技协同创新中心,苏州 215006; ；2.苏州大学,江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006; ；3.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123; ；4.苏州纳维科技有限公司,苏州 215000; ；5.沈阳材料科学国家研究中心,沈阳 110010

关键词：Micro-LED,侧壁损伤,侧壁钝化,尺寸,光学特性,

基金：国家自然科学基金重点项目(61734008);江苏省重点研发计划(BE2021008-3)

GaN基微型发光二极管(Micro-LED)作为新型显示技术有着广泛的应用前景,在近些年得到了快速的发展。但随着尺寸的降低,Micro-LED的发光效率急剧降低,主要是由于侧壁损伤的影响。本文通过光刻工艺和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了5、10、20 μm等不同尺寸的Micro-LED结构,分析了刻蚀对Micro-LED带来的台面物理损伤及杂质元素富集的影响,并采用20%浓度四甲基氢氧化铵(TMAH)修复侧壁损伤,采用阴极荧光(CL)分析钝化处理前后Micro-LED的光学特性。结果表明,随着尺寸的降低,侧壁损伤的影响越加严重,采取TMAH钝化工艺能够对侧壁进行有效的修复,提升Micro-LED的发光强度与发光均匀性。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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