人工晶体学报

作者：耿方娟, 杨磊, 朱嘉琦

单位：1.哈尔滨工业大学航天学院,复合材料与结构研究所,哈尔滨 150080; ；2.哈尔滨工业大学分析测试中心,哈尔滨 150001

关键词：p型,CuI,后退火,层层退火,透过率,电学性能,光电性能,

基金：国家自然科学基金(52032004)

CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备,为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性,本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品,并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品,对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明,层层退火方式有效提高了样品的结晶度,而后退火方式则有利于薄膜表面CuI的二维平面移动,从而增加了薄膜表面的致密性。后退火方式将CuI薄膜的透过率提高至80%~90%,层层退火方式将CuI薄膜的电阻率优化至0.034 Ω·cm。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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