人工晶体学报

作者：徐建喜, 王钰宁, 徐俞, 王建峰, 徐科

单位：1.中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州 215123; ；2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123; ；3.苏州纳维科技有限公司,苏州 215000; ；4.沈阳材料科学国家研究中心,沈阳 110010

关键词：GaN,石墨烯,MOCVD,异质远程外延,表面粗糙度,位错密度,

基金：国家自然科学基金面上项目(62174173)

远程外延是一种用于生产单晶、独立式薄膜和结构的新兴技术,该方法使用二维范德瓦耳斯材料作为半透明夹层,实现外延生长及外延层在二维层界面的剥离。本文研究了在蓝宝石衬底上利用单层石墨烯作中间层异质远程外延GaN成核层、GaN薄膜。结果表明,GaN成核岛具有良好的取向,通过参数调整,可实现致密的GaN成核层。AFM和XRD测试结果证实,与同样条件下蓝宝石衬底上直接生长的GaN薄膜相比,石墨烯上异质远程外延得到的GaN薄膜具有更低的表面粗糙度和位错密度。

来源：2023年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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