人工晶体学报

作者：王本发, 王守志, 王国栋, 俞娇仙, 刘磊, 李秋波, 武玉珠, 徐现刚, 张雷

单位：1.山东大学晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100; ；2.齐鲁工业大学(山东省科学院),材料科学与工程学院,济南 250353

关键词：氮化镓单晶,钠助熔剂法,原料比,温度梯度,添加剂,籽晶,

基金：国家自然科学基金(52202265,51872164)

宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。

来源：2023年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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