人工晶体学报

作者：张俊峰, 孙再征, 孔腾飞, 蔡根旺, 李亚平, 胡莎, 樊志琴

单位：河南工业大学理学院, 郑州 450001

关键词：MoS2薄膜,射频磁控溅射,二维材料,正交试验法,工艺参数,

基金：National Natural Science Foundation of China (12104133); Henan University of Technology Graduate Education Reform Project

采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS2薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS2薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS2薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS2薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250 ℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS2的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量。当溅射温度为250 ℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS2膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。

来源：2023年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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