人工晶体学报

作者：刘晓辉, 刘景涛, 郭颖楠, 王颖, 郭庆林, 梁宝来, 王淑芳, 傅广生

单位：河北大学物理科学与技术学院,保定 071002

关键词：InGaAs量子点,Si掺杂,表面费米能级,荧光发光谱,间接跃迁辐射,时间分辨荧光光谱,

基金：国家自然科学基金(61774053);河北省自然科学基金(F2019201446,F2020201051);河北大学高层次人才项目(8012605)

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加, SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移; PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。

来源：2023年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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