人工晶体学报

作者：杨文宇, 付红

单位：宁德师范学院数理学院,宁德 352100

关键词：氧化铜,磁控溅射,带隙,氧分压,表面功函数,接触电位差,

基金：福建省中青年教师教育科研项目(JAT200692);宁德市指导性科技计划(20190001);宁德师范学院乡村振兴专项(2020ZX501);宁德师范学院引进人才科研项目(2018Y07)

本文采用反应磁控溅射法制备p型二元铜氧化物半导体薄膜,通过氧气流量调节实现Cu2O、CuO和Cu4O3薄膜的可控生长。所制备薄膜的形貌与结构分别利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及拉曼光谱进行表征。经紫外可见分光光度计测量可知,Cu2O、CuO和Cu4O3薄膜的带隙分别为2.89 eV、1.55 eV和2.74 eV。为进一步研究Cu2O、CuO和Cu4O3薄膜的表面物理性质,基于Kelvin探针力显微镜(KPFM)技术直接测量了薄膜样品与探针尖端间的接触电位差(VCPD),结果表明Cu2O、CuO和Cu4O3薄膜的表面功函数都随着温度的升高而呈现逐渐减小的趋势。

来源：2023年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2023年第1期