人工晶体学报

作者：王举亮, 贾永军

单位：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710100

关键词：TOPCon电池,LPCVD,隧穿氧化层,多晶硅层,钝化,掺杂,

本文主要对低压化学气相沉积(LPCVD)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影响。结果表明:当隧穿氧化层厚度在1.55 nm时,钝化效果最佳;多晶硅层厚度120 nm时Voc达到最高值;多晶硅层厚度在90 nm时Eff最高。当P掺杂量为3.0×1015 cm-2时可获得较高的Voc,原因是随着P掺杂量的增加,多晶硅层场钝化效果提高。

来源：2023年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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