国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:张雅丽, 权纪亮, 刘纪岸, 刘军, 黄晋强
单位:广州半导体材料研究所,广州 510610
关键词:Ce∶LuAG,闪烁晶体,提拉法,生长,开裂,
基金:广州市科技计划(202102080585)
Ce∶LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce∶LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷。本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce∶LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5 ℃/mm左右,放肩角度在30°~60°,提拉速度1.0~1.5 mm/h,晶体旋转速度15~25 r/min。最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce∶LuAG单晶,晶体内核心面积小。
来源:2022年第12期
《人工晶体学报》期刊编辑部