人工晶体学报

作者：吴侦成, 熊明姚, 文杜林, 张志远, 苟杰, 苏欣

单位：1.伊犁师范大学物理科学与技术学院,伊宁 835000; ；2.伊犁师范大学新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000

关键词：CdS,半导体,空位,第一性原理,电子结构,光学特性,

基金：新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2022D04074);伊犁师范大学提升学科综合实力专项(22XKZZ21);新疆伊犁科技计划(YZ2022Y002);伊犁师范大学校级科研项目(2022YSZD004,YS2022ZD009);新疆维吾尔自治区天山英才计划第三期(2021-2023)

本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,采用第一性原理研究了含Cd空位缺陷CdS和含S空位缺陷纤锌矿CdS的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。通过计算分析可知,含Cd空位缺陷的CdS体系均为p型半导体,含S空位缺陷的CdS体系跃迁方式均由直接跃迁变为间接跃迁。Cd、S空位缺陷的CdS体系的态密度总能量降低。空位CdS体系相较于本征CdS体系的静介电常数均有提高,并随着空位浓度的增大而增大,Cd空位缺陷体系更为明显,极化能力得到显著提升。空位Cd的CdS体系相较于本征CdS体系在红外波段存在明显的吸收,空位S的CdS体系相较于本征CdS体系在可见光波段存在明显的吸收。

来源：2022年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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