人工晶体学报

作者：罗月婷, 肖黎, 陈远豪, 梁昌兴, 龚恒翔

单位：1.重庆理工大学理学院,重庆 400054; ；2.重庆理工大学,绿色能源材料技术与系统重庆市重点实验室,重庆 400054

关键词：Ga2O3,薄膜,雾化辅助化学气相沉积,沉积温度,压差,单晶,半导体,

基金：重庆市自然科学基金博士后科学基金(cstc2021jcyj-bshX0219);重庆理工大学本科教育教学改革研究项目(2021YB46)

采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga2O3薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga2O3薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga2O3在425~650 ℃温度区间存在物相转换关系。随着沉积温度从425 ℃升高至650 ℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯α-Ga2O3结晶状态向α-Ga2O3、β-Ga2O3两相混合结晶状态改变。通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga2O3薄膜表面形貌的影响,从475 ℃升高至650 ℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm。同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475 ℃、5 Pa压差条件下的α-Ga2O3薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga2O3薄膜材料。

来源：2022年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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