国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:肖友鹏
单位:东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,南昌 330013
关键词:硫化亚锗吸收层,硫化镉缓冲层,太阳电池,厚度,掺杂浓度,体缺陷,模拟,
基金:东华理工大学博士科研启动基金(DHBK2019170)
硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性,且组分简单、低毒和储量丰富,特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃的薄膜太阳电池,分别模拟分析了缓冲层和吸收层的厚度、掺杂浓度,以及吸收层体缺陷密度对器件性能的影响。经过优化CdS缓冲层厚度和掺杂浓度以及GeSe吸收层厚度和掺杂浓度,器件获得高达27.59%的转换效率。这些结果表明GeSe基薄膜太阳电池有成为高效光伏器件的潜力。
来源:2022年第7期
《人工晶体学报》期刊编辑部