人工晶体学报

作者：韩跃斌, 蒲勇, 施建新

单位：1.材料科学姑苏实验室,苏州 215000; ；2.芯三代半导体科技(苏州)有限公司,苏州 215021

关键词：碳化硅,外延生长设备,化学气相沉积,外延生长机理,反应室,第三代半导体,宽禁带半导体,

基金：材料科学姑苏实验室定向攻关类项目(G2110)

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。

来源：2022年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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