人工晶体学报

作者：冯银红, 沈桂英, 赵有文, 刘京明, 杨俊, 谢辉, 何建军, 王国伟

单位：1.中国科学院半导体研究所,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京 100083; ；2.中国科学院大学,北京 100049; ；3.如皋市化合物半导体产业研究所,如皋 226500; ；4.江苏秦烯新材料有限公司,如皋 226500; ；5.中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049; ；6.中国科学院半导体研究所,超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083

关键词：GaSb,衬底,液封直拉法,晶格完整性,位错腐蚀坑密度,倒易空间图,亚表面损伤,化合物半导体,

基金：国家自然科学基金(61904175);江苏省重点研发计划(BE2020033)

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm-2,达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层。利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能。在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析。

来源：2022年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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