人工晶体学报

作者：尹佳奇, 余春燕, 翟光美, 李天保, 张竹霞

单位：1.太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024; ；2.太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024; ；3.太原理工大学航空航天学院,太原 030024; ；4.山西先进永磁材料与技术协同创新中心,临汾 041004

关键词：In和Ga共掺杂,ZnO纳米棒,n-ZnO/p-GaN异质结,低温水热法,光学性质,导电性,光电性能,

基金：国家自然科学基金(61904120);山西省自然科学基金(201901D111109);厦门大学PCOSS开放项目(201928)

利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明, ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加。XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移。同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响。与纯ZnO相比, 共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果。I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性。

来源：2022年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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