人工晶体学报

作者：杨思琪, 郑永杰, 张宏瑞, 赵云鹏, 田景芝

单位：1.齐齐哈尔大学化学与化学工程学院,齐齐哈尔 161006; ；2.齐齐哈尔市检验检测中心,齐齐哈尔 161005

关键词：g-C3N4,异质结,光催化,光生载流子,铋基半导体,降解,

基金：黑龙江省省属高等学校基本科研业务费科研项目(135309109);齐齐哈尔大学研究生创新科研项目(YJSCX2021013)

半导体异质结光催化剂因其在太阳能利用和转化方面广阔的应用前景而备受关注。合理构建两种或两种以上半导体材料的异质结构,可以集成多种组分的优点,改善光生电荷分离,扩大对可见光的吸收范围,保持光催化剂的高氧化还原能力。近年来,由于g-C3N4具有合成简单、稳定性高、独特的光学和电学特性等诸多优点,g-C3N4基异质结构的构建成为研究热点。本文针对近年来g-C3N4基异质结改性的研究现状,依据g-C3N4与其他半导体电荷转移路径的不同综述了三种异质结结构(g-C3N4基Ⅱ型异质结、g-C3N4基Z型异质结和g-C3N4基S型异质结),以及其在环境修复和能源方面的应用。最后对g-C3N4基异质结光催化剂存在的问题进行总结和展望。

来源：2022年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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