人工晶体学报

作者：吴婧, 李清连, 张中正, 杨金凤, 郝永鑫, 李佳欣, 刘士国, 张玲, 孙军

单位：1.南开大学物理科学学院,天津 300071; ；2.南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300457; ；3.山西大学极端光学协同创新中心,太原 030006; ；4.河南工程学院材料工程学院,河南省电子陶瓷材料与应用重点实验室,郑州 451191

关键词：铌酸锂晶体,内偏置场,名义纯,掺杂,本征缺陷,阈值浓度,

铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响。本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量。结果表明,CLN晶体内偏置场最高(Eint=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration, VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5%(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7%(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一。最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析。

来源：2022年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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