人工晶体学报

作者：王丹, 王晓丹, 夏长泰, 赛青林, 曾雄辉

单位：1.苏州科技大学物理科学与技术学院,江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,苏州 215009; ；2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800; ；3.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

关键词：氧化镓,铕,应力,发光性质,缺陷,离子注入,高斯拟合,

基金：国家自然科学基金(61974158,61306004);江苏省自然科学基金(BK20191456);江苏省“十三五”重点学科项目(20168765);江苏省研究生科研与实践创新项目(KYCX19_2017)

采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2O3:Eu3+样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu3+的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu3+剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰。通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外,Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。

来源：2022年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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