人工晶体学报

作者：左芬, 翟章印

单位：淮阴师范学院物理系,淮安 223300

关键词：砷化镓,半导体,欧姆接触,金锗镍合金,电极材料,离子溅射,比接触电阻率,

基金：江苏省自然科学基金(BK20140450); 江苏省高校自然科学基金重大项目(19KJA150011)

目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400 ℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500 ℃时可得到很小的比接触电阻率(10-6 Ω·cm2),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400 ℃或高于500 ℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。

来源：2022年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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