人工晶体学报

作者：崔景贺, 蒋权伟, 高忙忙, 梁森

单位：宁夏大学材料与新能源学院,宁夏光伏材料重点实验室,银川 750021

关键词：二氧化钒,薄膜,相变温度,二氧化锗,晶格畸变,电学性能,V-V二聚体,

基金：宁夏自然科学基金(2020AAC03005)

二氧化钒(VO2)作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料,发展潜力巨大,其相变温度(TMIT)的调控一直是研究热点。本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO2薄膜TMIT的影响,并尝试解释其内部作用机理。在约1 cm2大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO2薄膜。研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于TMIT的提高(本课题TMIT最大可达84.7 ℃)。TMIT提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性,进而增强单斜态的稳定性,使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难。

来源：2022年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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