人工晶体学报

作者：卢嘉铮, 张辉, 郑丽丽, 马远, 宋德鹏

单位：1.清华大学航天航空学院,北京 100084;；2.清华大学工程物理系,北京 100084;；3.中电化合物半导体有限公司,宁波 315336;；4.山东力冠微电子装备有限公司,济南 250119

关键词：8英寸SiC晶体,晶体生长,电阻加热,热场设计,输运机理,物理气相传输,加热器,保温棉,

大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。

来源：2022年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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