人工晶体学报

作者：宋志成, 杨露, 张春福, 刘大伟, 倪玉凤, 张婷, 魏凯峰

单位：1.西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071; 2.青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710000

关键词：TOPCon太阳能电池,多晶硅,掺杂,离子注入,钝化接触,寄生吸收,光电转换效率,

本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×1015 cm-3,在855 ℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×1020 atoms/cm3,远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×1020 atoms/cm3)。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流Isc升高20 mA,串联电阻Rs降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。

来源：2022年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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