人工晶体学报

作者：梁志华, 谭秋红, 王前进, 刘应开

单位：1.云南师范大学物理与电子信息学院,昆明 650500;；2.云南省光电信息技术重点实验室,昆明 650500

关键词：GeS/MoS2异质结,二维层状材料,电子结构,光学性能,界面间距,应变,电场,第一性原理,

基金：国家自然科学基金(61564010,11864046,11764046);云南省基础研究面上项目(202001AT070064,202101AT070124)

以MoS2、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能。如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义。本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/MoS2异质结的电子结构及光学性质进行了系统研究,并探索了界面间距、应变和电场对异质结电子结构和光学性能的影响。研究结果表明,GeS/MoS2异质结是Ⅱ型能带排列,该能带排列有利于光生电子-空穴对的分离。进一步研究发现,通过应变和电场等手段可以实现对GeS/MoS2异质结能带排列及光吸收系数的有效调控。该研究结果表明GeS/MoS2异质结在光催化、光电器件等领域具有潜在的应用,为设计与制备GeS/MoS2相关的光电器件提供了理论指导。

来源：2022年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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