人工晶体学报

作者：李志伟, 唐慧丽, 徐军, 刘波

单位：同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海 200092

关键词：氧化镓,超宽禁带半导体,X射线探测器,半导体探测器,响应速度,灵敏度,单晶,薄膜,

基金：国家自然科学基金(11975168);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题专项经费资助项目(SKLIPR2022)

X射线具有波长短、穿透能力强等优点,在医学成像、安全检查、科学研究、空间通信等领域具有重要作用。半导体X射线探测器可以将X射线转换为电流信号,具有易集成、空间分辨率高、能量分辨率高、响应速度快等优点。高性能的X射线探测器应具备暗电流低、灵敏度高、响应速度快、可长时间稳定工作等特点,因此制备X射线探测器的半导体材料应具有电阻率高、缺陷少、抗辐照能力强、禁带宽度宽等性质。氧化镓(Ga2O3)是一种新型宽禁带半导体材料,具有超宽禁带宽度、高击穿场强、高X射线吸收系数、耐高温、可采用熔体法生长大尺寸单晶等优点,是一种适合制备X射线探测器的新型材料,近年来基于Ga2O3的X射探测器成为辐射探测领域的研究热点之一。本文主要介绍了Ga2O3半导体的物理性质及其在X射线探测器方面的研究进展,分析了影响X射线探测器性能的物理机制,为提高Ga2O3基X射探测器的性能提供了思路。

来源：2022年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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