人工晶体学报

作者：张序清, 罗昊, 李佳君, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东

单位：1.浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院,杭州 310027;；2.浙江大学杭州国际科创中心,杭州 311200

关键词：碳化硅,湿法腐蚀,电化学腐蚀,化学腐蚀,晶体缺陷,晶体表面,

基金：国家重点研发计划(2017YFA0205704,2018YFB2200101);国家自然科学基金重大研究计划项目(91964107);国家自然科学基金面上项目(61774133)

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。

来源：2022年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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