人工晶体学报

作者：李旺, 唐鹿, 田娅晖, 薛飞, 辛增念, 潘胜浆

单位：1.江西科技学院协同创新中心,南昌 330098; ；2.宁波山迪光能技术有限公司,余姚 315380

关键词：太阳能电池,P-N结,磷掺杂,扩散,掺杂浓度,光电转换,转换效率,

基金：国家自然科学基金(62041404);江西省自然科学基金面上项目(20202BABL204072)

制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明,当完成高温推阱后,在650~750 ℃温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比,采用在700 ℃下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2 Ω/□,所得相应太阳能电池光电转换效率Eff达到18.69%,比产线工艺提高约0.23%。

来源：2022年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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