人工晶体学报

作者：王新月, 张胜男, 霍晓青, 周金杰, 王健, 程红娟

单位：1.中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;；2.中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津 300220

关键词：氧化镓,晶体生长,外延,功率器件,浮区法,导模法超宽禁带半导体,

氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本。21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量β-Ga2O3单晶晶圆,京都大学开展了β-Ga2O3薄膜外延研究并获得了高质量的同质外延片。在此基础上,日本信息通信研究机构于2012年构建了第一个β-Ga2O3金属半导体场效应晶体管(MESFET),证明了β-Ga2O3在功率器件领域拥有巨大潜能,开启了β-Ga2O3研发的新纪元。此后,国际上众多机构加入了β-Ga2O3单晶、外延、器件的研发潮流。随着研发工艺的进步,β-Ga2O3基功率器件的耐压上限一次次被刷新。本文梳理了β-Ga2O3单晶、外延、器件发展的时间线,汇总分析了β-Ga2O3功率器件的研究现状,指出存在的问题和可能的解决方案,并对其未来进行了展望,期望为以后的技术发展提供参考。

来源：2021年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2021年第11期