人工晶体学报

作者：杨卫霞, 张贺翔, 潘凤春, 林雪玲

单位：宁夏大学物理与电子电气工程学院,银川 750021

关键词：GaSb,过渡金属掺杂,电子结构,光学性质,第一性原理,

基金：国家自然科学基金(11764032)

运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。

来源：2021年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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