人工晶体学报

作者：许文斌, 王海丽, 李辉, 周振翔, 石爽爽, 陈建荣, 马捷

单位：1.中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;；2.北京工业大学材料与制造学部,北京 100049

关键词：对三联苯,坩埚下降法,晶体生长,有机晶体,闪烁晶体,单层安瓿,辐射探测,

对三联苯是一种常见的有机闪烁剂,通常用作闪烁计数器的发光材料。对三联苯闪烁晶体具有对中子探测效率高以及不易潮解等特性,这使其在实际应用中具有广阔的前景。本文采用坩埚下降法,使用单层安瓿成功生长出φ12 mm×30 mm对三联苯晶体。在生长开始前通过差热分析,确定晶体的生长温度。生长完成后测试了晶体粉末的X射线衍射谱、摇摆曲线、红外光谱、荧光光谱和拉曼光谱。X射线衍射结果表明,生长的晶体为纯对三联苯相。从摇摆曲线结果可以看出,生长晶体质量良好。红外和拉曼分析结果显示,峰位并没有出现明显的偏移,表明晶体中杂质含量较少并未引起晶体分子化学结构的变化。荧光光谱没有杂质峰的出现也说明对三联苯晶体存在较少杂质或晶格缺陷。

来源：2021年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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