人工晶体学报

作者：廖杨芳, 谢泉

单位：1.贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001;；2.贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025

关键词：Mg2Si,薄膜,射频磁控溅射,溅射功率,溅射时间,电阻率,

基金：贵州省科技计划(黔科合基础[2019]1225号);贵州师范大学资助博士科研项目(GZNUD[2018]15号)

采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg2Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样品均呈现出Mg2Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm-1附近的F2g模及347 cm-1附近的F1u(LO)模。随着溅射功率增加,样品的电阻率减小;随着溅射时间增加,样品的电阻率先减小后增大,溅射时间为40 min时,样品的电阻率最小。

来源：2021年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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