人工晶体学报

作者：黄泽琛, 蒋冲, 李耳士, 李家伟, 宋娟, 王一, 郭祥, 罗子江, 丁召

单位：1.贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025;；2.贵州大学微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025;；3.半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025;；4.贵州财经大学信息学院,贵阳 550025

关键词：GaAs,In液滴,液滴外延,衬底温度,团簇密度,

基金：国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科技计划(黔科合基础 [2017] 1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))

采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上生长In液滴,利用原子力显微镜(AFM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征,观察其表面形貌。研究表明In液滴的生长对衬底温度十分敏感,随着衬底温度的升高,液滴密度逐渐减小,液滴尺寸逐渐增大。分析了In液滴在不同衬底温度形成过程的物理机制,解释了该实验现象的原因。根据成核理论中最大团簇密度与衬底温度之间的关系,拟合计算出In液滴密度与衬底温度满足的函数关系为nx=5.17 exp(0.69 eV/kT)。

来源：2021年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2021年第8期