人工晶体学报

作者：孙纵横, 沈荣宗, 石艳斌, 周玉荣, 周玉琴, 刘丰珍

单位：中国科学院大学材料与光电研究中心&材料科学与光电技术学院,北京 100049

关键词：背接触硅基太阳电池,免光刻工艺,掩膜技术,PEDOT∶PSS空穴传输层,溶液法,

基金：国家自然科学基金青年科学基金(61604153)

对PEDOT∶PSS(聚(3,4亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))薄膜与Mg、Al和Ag三种金属接触后的I-V特性曲线进行了测试分析,发现Mg和Al与PEDOT∶PSS薄膜接触后呈现高电阻特性,可以起到绝缘隔离层的作用。在此基础上,以PEDOT∶PSS作为空穴传输层,以LiF作为电子传输层,以PEDOT∶PSS与Mg/Al的接触作为隔离层,不采用光刻工艺,设计制备了只需一次掩膜工艺的背接触太阳电池。通过在PEDOT∶PSS上采用热丝氧化升华技术制备MoOx层,通过优化LiF薄膜的厚度,在抛光硅片上初步实现了开路电压最高为592 mV和效率最高为10.13%的背接触太阳电池。采用金属辅助腐蚀制备硅纳米线陷光结构改善前表面陷光效果,得到了开路电压为587 mV,短路电流密度为35.57 mA/cm2,填充因子为69.97%,效率为14.61%的背接触太阳电池。

来源：2021年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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