人工晶体学报

作者：罗昊, 张序清, 杨德仁, 皮孝东

单位：1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学院,杭州 310027;；2.浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院,杭州 311200

关键词：单晶,高纯,SiC粉体,半导体,物理气相传输法,

碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年来,物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破,进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用。SiC粉体是PVT法生长SiC单晶的原料,其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量,从而影响SiC单晶的电学性质,其中生长高质量的半绝缘SiC单晶更是直接受限于SiC粉体中N元素的含量。因此,合成高纯的SiC粉体是PVT法生长高质量SiC单晶的关键。本文主要介绍了高纯SiC粉体的合成方法及研究现状,重点对气相法和固相法合成高纯SiC粉体的优缺点进行了评述,并提出了今后高纯SiC粉体合成的发展方向。

来源：2021年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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