人工晶体学报

作者：陈晨, 赵堃, 韩焕鹏

单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220

关键词：锗,单晶生长,热场,加热器,温度梯度,位错密度,

基金：国家技术基础科研项目(1905XX000)

锗片作为衬底材料已在空间太阳电池领域得到广泛的应用,新型锗基空间太阳能电池对锗片的需求由4英寸(1英寸=2.54 cm)提高到6英寸后,低位错锗单晶的生长难度增大。本文设计开发了一种适用于直拉法生长大尺寸、低位错锗单晶的双加热器热场系统,模拟研究了不同形状主加热器的热场分布,从而得到最优的热场环境。研究发现:渐变长度为L/h=1/2、渐变率α为65°的渐变型主加热器热场结构能够获得最佳的热场分布,有利于低位错单晶的生长。经验证,生长的锗单晶热应力较低,位错密度在310～450 cm-2范围内。

来源：2021年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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