人工晶体学报

作者：姬凯迪, 高灿灿, 杨发顺, 熊倩, 马奎

单位：1.贵州大学电子科学系,贵阳 550025; ；2.贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025; ；3.半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025

关键词：宽禁带半导体,β-Ga2O3,射频磁控溅射,退火氛围,结晶性能,表面粗糙度,

基金：国家自然科学基金(61664004);半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))

近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,后退火处理往往是提高薄膜质量的关键工艺步骤。本文研究后退火工艺中退火温度和退火气氛对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜材料的影响。X射线衍射和原子力显微镜表征结果表明:在氮气气氛下退火,退火温度为1 000 ℃时得到的β-Ga2O3薄膜质量较优;相同的温度下,氧气气氛退火比氮气气氛退火更有利于提升薄膜的结晶性能、降低表面粗糙度;在氧气气氛下,1 000 ℃退火得到的薄膜质量相对比900 ℃退火得到的薄膜质量好。

来源：2021年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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