国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:陶思祺, 张继军, 王淑蕾, 秦美琪, 邱攀辉, 宋晓龙
单位:上海大学材料科学与工程学院,上海 200444
关键词:CdZnTe,Ti/Au,接触界面,欧姆特性,晶格失配层,互扩散,
基金:国家自然科学基金(11675099)
近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能,采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TEM、XPS、I-V等测试方法研究了电极与CdZnTe的界面结构、化学成分和电学性能。结果表明,Ti过渡层的引入可以减轻和改善晶片抛光过程中形成的损伤层,增加了电极与晶体之间的欧姆特性。相比于CdZnTe (111)B面上的Cr/Au复合电极,Ti/Au复合电极的粗糙度更低、接触界面更平整,晶格失配层厚度也更低。Ti中间层促进了金/半界面的互扩散现象, 有利于增加黏附性和降低肖特基势垒,并且在Ti/Au复合电极与CdZnTe接触的界面上没有观察到氧元素的存在。I-V测试表明Ti/Au复合电极具有更加良好的欧姆特性和更低的肖特基势垒。
来源:2021年第6期
《人工晶体学报》期刊编辑部