人工晶体学报

作者：平晨, 贾志刚, 董海亮, 张爱琴, 许并社

单位：1.太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024; ；2.太原理工大学轻纺工程学院, 太原 030024; ；3.陕西科技大学,材料原子·分子科学研究所,西安 710021

关键词：量子点/量子阱复合结构,V型坑,量子限制斯塔克效应,非辐射复合中心,内量子效率,金属有机化学气相沉积,

基金：国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185);国家重点研发计划(2016YFB0401803);山西省基础研究项目(201901D111127,201801D221124,201801D121101,201901D111111,201901D211090,201601D202029);山西省重点研发项目(201803D31042)

使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。由于高密度V型坑的形成,完整的量子阱结构被破坏,转变成了InGaN量子点(quantum dots, QDs)/量子阱(quantum well, QW)复合结构。通过变功率光致发光谱和变温光致发光谱,分析了在不同的垒层温度下量子限制斯塔克效应(quantum confined Stark effect, QCSE)、非辐射复合中心密度和载流子局域化效应的变化。结果表明:在较低的垒层温度下,QCSE较弱,因为在较低的温度下,V型坑的深度较深,应力释放较明显,残余应变较低;非辐射复合中心密度也随着温度的升高而逐渐增大;样品的内量子效率(internal quantum efficiency, IQE)随着垒层生长温度的升高而降低。QCSE的增强和非辐射复合中心密度的增大是垒层生长温度升高时内量子效率下降的主要因素。

来源：2021年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2021年第5期