人工晶体学报

作者：李阳军, 杨昆, 周庭艳, 吴波

单位：1.遵义师范学院物理与电子科学学院,遵义 563006; ；2.贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001

关键词：Mg2Si,第一性原理,掺杂,电子结构,光学性质,

基金：贵州省教育厅青年人才成长项目(黔教合KY字〔2020〕097);贵州省区域内一流建设学科物理学(黔教XKTJ〔2020〕21号)

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,探究了未掺杂Mg2Si以及Nd掺杂Mg2Si的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明: Nd掺杂Mg2Si后,Mg2Si禁带宽度从0.290 eV降低到0 eV,导电性能提升;未掺杂的Mg2Si,当光子能量大于0.9 eV时,才开始慢慢具备吸收能力,掺杂Nd之后的Mg2Si对能量为0.2 eV的光子就开始吸收,大大改善了Mg2Si对红外光电子的吸收。掺杂后的光吸收系数和反射率都变小,表明掺杂后的Mg2Si对光的穿透率增大。计算结果为Mg2Si材料在光电器件方面的应用提供了理论依据。

来源：2021年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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