人工晶体学报

作者：高洁, 姚威振, 杨少延, 魏洁, 李成明, 魏鸿源

单位：1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京 100083; ；2.中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049; ；3.南京佑天金属科技有限公司,南京 211164

关键词：氮化锆,反应磁控溅射,单一取向,表面形貌,柱状生长,光学性能,

基金：国家重点研发计划(2017YFB0404201);国家自然科学基金(61774147)

利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所沉积薄膜均为NaCl结构的立方相ZrN,具有(111)面单一取向;沉积时间的增加提高了薄膜的结晶质量;ZrN薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及表面粗糙度随沉积时间发生变化,沉积45 min的薄膜表面出现致密的三角锥晶粒,且表面粗糙度最大,薄膜呈柱状生长。随后利用Extend Structure Zone Model解释了ZrN薄膜的生长机制,最后研究了ZrN薄膜的光反射特性,发现反射光谱与晶粒形状和表面粗糙度密切相关,表面具有三角锥状晶粒的薄膜,其反射谱在300~800 nm波长范围内存在振荡现象,相比于具有不规则晶粒形貌的薄膜其反射率明显下降。本文中研究的生长条件与晶体结构、微观形貌和光学性能之间的关系,可为器件中应用的ZrN薄膜最佳制备条件的优化提供重要的参考价值。

来源：2021年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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