人工晶体学报

作者：彭燕, 陈秀芳, 谢雪健, 徐现刚, 胡小波, 杨祥龙, 于国建, 王垚浩

单位：1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100;；2.广州南砂晶圆半导体技术有限公司,广州 511458

关键词：SiC单晶衬底,微管密度,6英寸,半绝缘,

基金：广东省重点领域研发计划(2019B010126001)

碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展, SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为重要的一环。本文针对半绝缘SiC单晶衬底材料国内外发展进行了分析归纳,重点介绍了山东大学半绝缘SiC的研究历程、现状,并对研究和产业发展、存在的挑战做了论述。

来源：2021年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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