人工晶体学报

作者：刘鹏, 朱振, 陈康, 王荣堃, 夏伟, 徐现刚

单位：1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南 250100;；2.山东华光光电子股份有限公司,济南 250101;；3.济南大学物理科学与技术学院,济南 250022

关键词：无铝材料,高可靠性,InGaAsP,808 nm,非对称,泵浦源,半导体激光器,

基金：山东省激光装备创新创业共同体项目

针对高功率808 nm激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP/GaInP材料体系的无铝有源区半导体激光器。使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P侧材料的热阻及光吸收。优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As和P混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP单晶外延薄膜。制作的激光器室温测试阈值电流为1.5 A,斜率效率为1.26 W/A,10 A下的功率达到10.5 W,功率转换效率为58%。连续电流测试最大功率为23 W@24.5 A,准连续电流测试最大功率为54 W@50 A,没有产生灾变性光学损伤(COD)。在15 A电流加速老化下,激光器工作4 200 h未出现功率衰减及COD现象,说明制备的无铝有源区808 nm激光器具有高可靠性的输出性能。

来源：2021年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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